СУЭБ ИВТ СО РАН
А.М.Федотов
|
|
СУЭБ ИВТ СО РАН |
А.М.Федотов |
(transistor) – полупроводниковое устройство, которое используется для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. Обычно имеет три клеммы для подключения к внешней цепи. Главное свойство транзистора - изменение сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде.Транзистор — это электронный прибор из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.Первый в мире полупроводниковый трехконтактный усилитель (кристадин) создал Лосев О. В. в нижегородской радиолаборатории в начале 1920-х годов. В последствии это изобретение было не заслужено забыто. Первый действующий транзистор создали в 1947 году американские физики Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн в лабораториях Bell Labs. 23 декабря 1947 года состоялось официальное представление изобретения, и именно эта дата считается днём изобретения транзистора. В 1956 году ученые были награждены Нобелевской премией по физике «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта». Джон Бардин вскоре был удостоен Нобелевской премии во второй раз за создание теории сверхпроводимости. Позднее транзисторы заменили вакуумные лампы в большинстве электронных устройств, свершив революцию в создании интегральных схем и компьютеров. Название для нового устройства придумал Джон Пирс. Первоначально название «транзистор» относилось к резисторам, управляемым напряжением.
|
© 2013-2024, Евразийский национальный университет им. Л.Н.Гумилева, Астана © 2007-2024, Новосибирский государственный университет, Новосибирск © 1998-2024, Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск © 1998-2024, Федотов А.М. |
![[FIT]](http://db4.sbras.ru/elbib/data/zthes_cat/FIT2.GIF)
ФИТ НГУ НГУ ЕНУ им.Гумилева ИВТ СО РАН |